Микроконтроллеры отечественного производства

[ТехнарьКто]

@Эдуард Анисимов,

Они много на чем бюджет пилить обещали. Вот например.
15.01.2021 Низкопотребляющий микроконтроллер, не имеющий аналогов в России, будет разработан в НИИЭТ.
https://niiet.ru/newmicro/
И нет ничего.

Кроме того, ведутся работы по созданию серии мощных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы с телевизионным сигналом стандартов DVB-T / DVB-T2.

Взяли иностранную литературу, взяли иностранные компоненты, разбирались 10 лет. В 2017 НИИЭТ наконец с грехом пополам в этом разобралась.
Вот например узнали про нижеследующее.
1. Областью истока транзисторного кристалла является подложка. Это позволяет реализовать минимальные значения индуктивности истокового вывода, вследствие чего значительно увеличиваются значения коэффициента усиления по мощности КУР.
2. В конструкции транзисторного кристалла реализована минимальная площадь перекрытия областей стока и затвора, в результате чего в несколько раз снижается величина проходной ёмкости С12. Кроме того, в транзисторах последних поколений предусмотрены дополнительные защитные экраны для ещё более существенного снижения С12.
3. При монтаже кристалла LDMOS транзистора в корпус вывод истока напрямую соединяется с фланцем корпуса. Это исключает применение в составе корпуса керамики из окиси бериллия и приводит к существенному снижению теплового сопротивления и, как следствие, к повышению максимально допустимой рассеиваемой мощности.
4. Пробивное напряжение сток-исток определяется топологической протяженностью низколегированной дрейфовой n- области стока и концентрационным профилем легирующей примеси в ней.
5. В транзисторах последних поколений имеется встроенная защита от статического электричества.

Кроме рекламных слоганов про оптимизацию, что конкретно Вы улучшили?

PS Читайте древние книжки по этой теме. Может чего нового узнаете.
1. Murae T., Fujii K., Matsuno T. High Power S-band Solid-State Amplifiers for Surveillance and Traffic Control Radars. IEEE MTT-S. 2001.
2. Dragon C., Brakensienk W., Burdeaux D., Burger W., Funk G., Hurst M., Rice D. 200W Push-Pull & 110W Single-Ended High Performance RF-LDMOS Transistors for WCDMA Basestation Applications. IEEE MTT-S. 2003.
3. Brech H., Brakensienk W., Burdeaux D., Burger W., Dragon C., Formicone G., Pryor B., Rice D. Record Efficiency and Gain at 2.1GHz of High Power RF Transistors for Cellular and 3G Base Stations. IEEE IEDM. 2003.
4. Burger W., Brech H., Burdeaux D., Dragon C., Formicone G., Honan M., Pryor B., Ren X. RF-LDMOS: A Device Technology for High Power RF Infrastructure Applications. IEEE CSIS Symposium. 2004.
5. Brech H., Burger W., Dragon C., Pryor B. Voltage Optimization for State of the Art RF-LDMOS for 2.1GHz W-CDMA Cellular Infrastructure Applications. IEEE MTT-S. 2003.

 

[ТехнарьКто]

Микроэлектроника от НИИЭТ на основе нитрида галлия, сокращённо название пишется GaN или ГаН.

Нитри́д га́ллия широко используется для создания светодиодов, полупроводниковых лазеров, сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов. Полупроводники из нитрида галлия имеют более высокую частоту переключения по сравнению с кремнием. За счет большей частоты переключений в силовых цепях блоков питания катушки индуктивности и конденсаторы можно использовать меньшего размера. Поэтому габариты блоков питания можно делать более миниатюрными. Кроме этого полупроводники из нитрида галлия могут работать при более высоких температурах, что позволяет отказаться от охлаждающего радиатора, что тоже приводит к уменьшению размера блока питания. Основное преимущество полупроводников ГаН - уменьшение габаритов, при сохранении характеристик.

Краткий пересказ. В автомобильных зарядках НИИЭТ отсутствует GaN транзистор.

Краткий пересказ. В сетевых зарядках уже есть GaN транзистор. Не мешайте просить денег.


Про новые сетевые зарядки от НИИЭТ. Оригинал зарядки нужно искать по маркировке G653A. Найдете точно такой же сетевой БП с лампочкой, 3 портами и 33 Ваттами на 2-м порту.

От китайцев: Многопортовые зарядные устройства мощностью 65 Вт по-прежнему являются основной категорией поставок. Несколько портов могут удовлетворить потребности в одновременной зарядке мобильных телефонов и ноутбуков. Использование складных штифтов также делает зарядное устройство более портативным, простым в переноске и хранении, удобным и простым в использовании. Компания Shenzhen Juhai Technology выпустила зарядное устройство на основе нитрида галлия мощностью 65 Вт, которое использует конфигурацию интерфейса 2C1A и поддерживает автоматическое распределение мощности, что очень практично. Это зарядное устройство имеет удлиненный корпус. USB-C1 поддерживает выходную мощность 65 Вт.
Статья про G653 оргинале.

Краткое описание разборки сетевой зарядки G653A

Китайское зарядное устройство от фирмы Shenzhen Juhai Technology на основе нитрида галлия мощностью 65 Вт имеет длинную цилиндрическую конструкцию. Зарядное устройство имеет три выходных интерфейса 2C1A с одной выходной мощностью 65 Вт. Оно также поддерживает стратегию распределения мощности 45 + 18 Вт, которая может одновременно удовлетворить потребности в быстрой зарядке компьютеров и мобильных телефонов.


В ходе разборки сетевой зарядки выяснилось, что это зарядное устройство заполнено теплопроводящим герметизирующим клеем для улучшения характеристик рассеивания тепла и механической прочности. Импульсный источник питания использует основной управляющий китайский чип на основе нитрида галлия SW1106


и силовой американский чип на основе нитрида галлия Navitas Semiconductor NV6115.


Могу ли поверить в то, что НИИЭТ продает зарядку G653 как свою разработку?
Могу.

Могу ли поверить, что когда промышленность лежит в руинах, вдруг на ровном месте и разработали и сделали и продают свое в России?
Это Imposibl.