нужен smd транзистор для светодиодной ленты

[АВРчик]

Коллеги, добрый день.
Что-то я запутался, голова поплыла. Подскажите пожалуйста какой н-канальный мосфет (логического уровня (5в)) smd (в корпусе sot23 идеально было бы) лучше бы мог подойти для управления обычной 12в светодиодной лентой? Токи больше 2 ампер не ожидаются.
Спасибо.

 

[poty]

Параметрический поиск есть. FDN337N, IRLML6346TRPBF...

 

[АВРчик]

Параметрический поиск есть. FDN337N, IRLML6346TRPBF...

Спасибо за ответ.
Возьмём к примеру IRLML6346TRPBF

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.063 Ohm
Тип корпуса: SOT23 SOT346

В принципе всё понятно, кроме как понять что рассеиваемой мощности хватит.
Я знаю что рассеиваемая мощность определяется как падение напряжения на транзисторе умноженное на ток текущий через транзистор.
Получается если у нас течёт 1 ампер, и падение напряжения на переходе исток-сток будет около 0.5в (вроде как так судя по даташиту?). Выходит 0.5w ?
Так? Или что-то я где-то не так понял?

Пытаюсь понять по температурам что там будет ещё при 1 ампере, но не до конца понимаю пока что графики.

DATASHEET

 

[Александр Симонов]

Получается если у нас течёт 1 ампер, и падение напряжения на переходе исток-сток будет около 0.5в (вроде как так судя по даташиту?). Выходит 0.5w ?
Так? Или что-то я где-то не так понял?

Нет, открытый мосфет это резистор с сопротивлением Rds.

 

[poty]

Хм... Неужели кто-то нормально подходит к построению своего девайса? Здорово!
@Александр Симонов Вам правильно ответил. В даташите есть строка:
Rds(on) max 63мОма при Vgs=4,5В и Id=3,4А.
Эту строку можно брать за основу при расчёте мощности, но только в ключевом режиме (полностью открыт-полностью закрыт). Т.е., если Вы будете использовать транзистор с ШИМ или просто как электронный ключ, то можно легко рассчитать рассеиваемую мощность как P=I²Rds(on)/S, где S - скважность. (учитывайте Linear Derating Factor 0,01 Вт/°C, если температура отличается от 25°C). В Вашем примере: P=0,063Вт при 25°C и постоянном токе.
Если Вы будете использовать в режиме управляемого источника тока, то расчёты сильно усложняются.

 

[xof]

Не понял почему удалили мой ответ, никаких рефералок или чего такого. Писали бы хоть в личку чего не понравилось что-ли.
Повторяю без ссылок на али - делал проект очень похожий по запросу ТС на sot23 - AO3400 (на Алике полно).
Ссылка на даташит - http://www.aosmd.com/pdfs/datasheet/AO3400A.pdf.

 

[АВРчик]

@poty, Большое спасибо. Теперь всё ясно.

@xof, спасибо и Вам. Выглядит как то что нужно. Мосфеты заказал. Буду смотреть, пробовать.