Самодельный вэйп на картридже от иксрос 4 мини

M1dAS_qq

✩✩✩✩✩✩✩
26 Сен 2025
1
0
Здравствуйте уважаемые сегодня я хочу вам поведать о своем проекте.
Идея такова: собрать аппарат способный работать с любыми испарителями до 50 ватт и для этого я собрал в эмуляторе схему которую хочу продемонстрировать вам
Ссылка на нее: https://tinyurl.com/25g2z6qe
circuit-20250926-2010.png
Основные элементы это n-канальный мосфет irf3205 и такой же транзистор NJW21194G на котором будет стоять мини радиатор, так вот благодаря двум кнопкам можно менять напряжение на входе картриджа тоесть это варивольт также есть светодиод обозначающий примерную мощность на выходе. Питание идет от трех последовательно подключенных 18650. К сожалению на данный момент я не имею возможности собрать эту схемку но буду благодарен если это сделаете вы, или подскажете как ее доработать.
 

poty

★★★★★★★
19 Фев 2020
3,537
1,008
@M1dAS_qq, положительно здесь то, что используете простые аналоговые схемы. Но само применение знаний мне не нравится.
Что касается схемы. В качестве учебной - вполне рабочий вариант. Хотелось бы, конечно, чтобы Вы подумали о нескольких "хитростях", чтобы устранить детские недостатки.
Ну, допустим, по функционалу: включение будет происходить нелинейно. Преодоление порогового значения - примерно за 0,1 сек., половинная мощность - за 0,3 сек, полная мощность - 1,7 сек. Аналогичное время будет затрачено на выключение из разных установленных мощностей нагревателя. Линеаризировать характеристику регуляции можно с помощью элементарного источника стабильного тока в цепи заряда/разряда конденсатора.
Ограничения по мощности для нагревательного элемента не предусмотрено, а, если рассматривать самый плохой вариант, то 10В на входе, минус пороговое MOSFET ~2В, минус переход база-эмиттер BJT ~0,6В = 7,4В, на представленной на схеме нагрузке 0,4Ом это будет 136Вт - нагреватель просто сгорит. Пробой транзистора также будет фатальным.
Схему нужно просчитывать, как в электрическом, так и в тепловом плане. Учитывая среднее пороговое напряжение выбранного MOSFET около 3В и напряжение базово-эмиттерного перехода 0,7В, для того, чтобы получить 50Вт при описанных выше условиях нужно 8А (на нагрузке 0,8Ом). Я сомневаюсь, что усиления BJT хватит для получения такого тока в предлагаемых условиях. А тепловой режим для него будет кошмарным: около 30Вт рассеиваемой мощности (не считая мощности, рассеиваемой на базе транзистора). Тут уже маленьким радиатором не обойдёшься никак. Не знаю, смогут ли аккумуляторы дать такой ток и на сколько их хватит.