Возможно ли создать код на кольцевую запись в епром ?

Di123

✩✩✩✩✩✩✩
3 Сен 2021
2
0
тоесть что данные каждый раз записывались со смещением в соседнию ячейку и так далее по кругу по всей памяти а не каждый раз в одну и туже
так сказать сделать епром посути вечным
 

poty

★★★★★★✩
19 Фев 2020
3,230
940
Создать можно, только смысла в этих "костылях" я не вижу.
 

bort707

★★★★★★✩
21 Сен 2020
3,056
910
так сказать сделать епром посути вечным
циклическая запись увеличит время жизни ЕЕПРОМ максимум раз в 500, что совсем не много
Для "бесконечной" перезаписи берите память типа FRAM - там гарантированное число перезаписей 10 **14 (10 в 14 степени) - в миллиард раз больше, чем у ЕЕПРОМ.
А стоят ФРАМки совсем недорого , гдето от 15р за корпус на Али за 4кбита
 
Изменено:

Старик Похабыч

★★★★★★★
14 Авг 2019
4,263
1,301
Москва
1) Для начала надо определить как часто будут меняться данные в еепром. И оценить время жизни одной ячейки.
2) В той же еепром нужно хранить адрес активной ячейки. И если менять активную ячейку на каждую запись, то адрес активной вылетит быстрее.
3) Есть еще внешние модули еепром. Я на некоторых устройствах использовал в дип корпусе и вставлял их в панельку - легко заменить не меняя процессора
 

bort707

★★★★★★✩
21 Сен 2020
3,056
910
@bort707, А есть опыт использования ? Команды совместимы с аналогичными модулями EEPROM?
опыт минимальный, купили со знакомым 5шт FM24CL04 и поставили для теста на циклическую перезапись блоком в 30 байт. За двое суток платка выдержала 70млн циклов без ошибок, дальше просто надоело.
Реального применения я ей пока не нашел, так и валяются в коробке.
Команды чтения и записи там элементарные, на Амперке есть ветка, я там тоже отметился. Не найдете - вечером кину ссылку
 
  • Лойс +1
Реакции: Геннадий П

Di123

✩✩✩✩✩✩✩
3 Сен 2021
2
0
спасибо закажу внешние тогда

тока она на 3,3в идёт
можно напрямую на i2c цеплять или навсякий случай через баластник в 1к для 5в
 

Геннадий П

★★★★★★✩
14 Апр 2021
1,969
632
44
@Di123, Нужно смотреть контроллер какие уровни выдает и понимает ли 3.3В как высокий уровень.
Если 5В выдает и понимает 3.3В, то через резисторный делитель подключать.
 

Эдуард Анисимов

★★★★★★✩
23 Сен 2019
2,407
976
58
Марий-Эл
тоесть что данные каждый раз записывались со смещением в соседнию ячейку и так далее по кругу по всей памяти а не каждый раз в одну и туже
так сказать сделать епром посути вечным
Такой алгоритм используется в электронных панелях автомобилей. Пишется пробег.
 

Эдуард Анисимов

★★★★★★✩
23 Сен 2019
2,407
976
58
Марий-Эл
Я так понял, что FRAM построена на феррите. Правильно или нет?
Если да, я охреневаю от этого.
У нас ЕС1020 имела ОЗУ на ферритах. Во машинка была. Отключаешь её во время расчётов чего либо, включаешь и она начинает считать с того же места, где ты питание рубанул.
 

Геннадий П

★★★★★★✩
14 Апр 2021
1,969
632
44
@Эдуард Анисимов, Да, судя по википедии, используется сегнетоэлектрик (на сколько понял, что то типа феррита) в изолирующем слое накопительного элемента, который и хранит заряд. Только заряд происходит электрическим полем, а не магнитным как у ЕС1020.
Как говорится, прогресс не стоит на месте, и это замечательно.
 
Изменено:

JediKyle

✩✩✩✩✩✩✩
28 Фев 2021
4
2
@bort707, День добрый
Можете пожалуйста скинуть название и\или ссылку на подобные микросхемы?
Очень любопытно будет попробовать в деле
 
  • Лойс +1
Реакции: bort707

kostyamat

★★★★★★✩
29 Окт 2019
1,098
632
Бегло посмотрел даташит на эти микрухи, я правильно понял, что они как программно, так и электрически полностью совместимы с обычными 24С64 и т.п., только им время на физическую запись не нужно?

Интересно, заработает с моими темплейтами https://community.alexgyver.ru/threads/eeprom-i2c-24sxxx-universalnyj-instrument-biblioteka.3201/ для постраничной быстрой записи? Интересно.

Видимо
#define WAIT_FOR_FISICAL_WRITE стоит для них в 0 выставлять.
 

Геннадий П

★★★★★★✩
14 Апр 2021
1,969
632
44
@kostyamat, По ходу так и есть.
"Unlike other nonvolatile memory technologies, there is no write delay with FRAM. The entire memory cycle occurs in less time than a single bus clock."

И на сколько понял, у фрам нет стирания страниц, т.к. данные просто поверх записываются.
 
Изменено: