Измеритель внутреннего сопротивления YR1030+
- Автор темы VictorArx
- Дата начала
@Геннадий П, Спасибо. Попробую переписать названия , есть ещё пару магазинов, может там поймут, хотя думаю слово оригинал уже везде знают.
Это верно.Продолжу переписку с продавцами на чистейшем английском.У китайцев сплошь и рядом в описании оригиналы
@VictorArx,
Настоящий irf4905 будет стоить от 2.1 до 2.7 бакса за штуку плюс пересылка. Походу их на али у продавцов просто сейчас нет.
Настоящий irf4905 будет стоить от 2.1 до 2.7 бакса за штуку плюс пересылка. Походу их на али у продавцов просто сейчас нет.
Я не против этой цены, дайте настоящий, тем более надо пару штук. Есть ещё магазины, где торгуют оригиналами?
Уже смотрел. Производство немецкой компании, сделано в Китае. Высылают по России, мы не местные.
А чё пять, уж лучше десять, там десяток продают за долларКупите на али по доллару и проверьте, если не потянут - поставите пять в параллель
Может хоть балластные резисторы оригинал. Я упрямый, буду искать оригинал, друзья помогут.
Раньше никогда не заморачивался, покупал на али , ставил в схему, где вылетали, где работали. Посмотрел видос с YR1030+ и заинтересовался.
Что касается ёмкости затвора обычно у поделок она меньше, кристалл то меньше.
Изменено:
@VictorArx,
Если надо всего пару штук, купите б/у. Вот например. Они попадаются настоящие. И цена по 20 руб за б/у против 10 руб за новый, как бы намекает, что новые какие то не такие. Ну и дешевые для кучи, чтобы при сравнении Вы сразу поняли разницу. В чип и дип сейчас 50 на 50. Может настоящий попасться, а может подделка. Причем цена на чип и дип вообще не говорит ни о чем. Где сейчас покупать детали после последних событий, пока загадка. И как Вы правильно заметили, если в оборудовании изначально стояла подделка, то там и будет работать подделка. На самом деле только для качественного оборудования это имеет огромное значение, когда действительно деталь используется по полной. У меня к сожалению в обслуживании только такое. Бракую китайское г-но пачками. Снабжение воет и спецы там постоянно меняются (текучка). А с деталями проблема. Заказал целиком специфичный промышленный контроллер. Вот, что там могло пойти не так? Купили как новый, а он неисправен. Вскрытие показало одну из двух плат уже ремонтировали, ремонтировали да не выремонтировали. В итоге собрал из двух один, благо в старом неисправна плата с процессором, а в новом силовая. Франкенштейн успешно заработал. Удивил ответ снабжения, а в России больше не у кого было купить. В общем, печаль.
Если надо всего пару штук, купите б/у. Вот например. Они попадаются настоящие. И цена по 20 руб за б/у против 10 руб за новый, как бы намекает, что новые какие то не такие. Ну и дешевые для кучи, чтобы при сравнении Вы сразу поняли разницу. В чип и дип сейчас 50 на 50. Может настоящий попасться, а может подделка. Причем цена на чип и дип вообще не говорит ни о чем. Где сейчас покупать детали после последних событий, пока загадка. И как Вы правильно заметили, если в оборудовании изначально стояла подделка, то там и будет работать подделка. На самом деле только для качественного оборудования это имеет огромное значение, когда действительно деталь используется по полной. У меня к сожалению в обслуживании только такое. Бракую китайское г-но пачками. Снабжение воет и спецы там постоянно меняются (текучка). А с деталями проблема. Заказал целиком специфичный промышленный контроллер. Вот, что там могло пойти не так? Купили как новый, а он неисправен. Вскрытие показало одну из двух плат уже ремонтировали, ремонтировали да не выремонтировали. В итоге собрал из двух один, благо в старом неисправна плата с процессором, а в новом силовая. Франкенштейн успешно заработал. Удивил ответ снабжения, а в России больше не у кого было купить. В общем, печаль.
@VictorArx,
Вспомнил. Вот у этого продавца Aoweziic Raw material spot Store покупал оригинальные полевики.
Новый импортный оригинальный транзистор с полевым эффектом IRF4905PBF IRF4905 TO-220 74A 55V
В этом магазине на али тоже есть подделки. Но те которые "новый импортный оригинальный" пока были настоящие.
Набрать в строке поиска IRF4905 и нажать "В этом магазине".
Вспомнил. Вот у этого продавца Aoweziic Raw material spot Store покупал оригинальные полевики.
Новый импортный оригинальный транзистор с полевым эффектом IRF4905PBF IRF4905 TO-220 74A 55V
В этом магазине на али тоже есть подделки. Но те которые "новый импортный оригинальный" пока были настоящие.
Набрать в строке поиска IRF4905 и нажать "В этом магазине".
Изменено:
@ТехнарьКто, Про этот магазин указывал приятель в видео #8. Его логин Радиогубитель. Заказал прибор YR1030+ в магазине , что Вы указали. Теперь буду заказывать мосфеты. Закажу оригинальные и Б/У , чтобы было сравнивать.
Изменено:
@VictorArx,
Посмотрел приведенное Вами выше видео от радиогубителя.
Пару слов какой порядок действий у меня.
Сначала дам определение какие транзисторы считаю подделкой, какие оригиналом.
Подделка состоит из магнитятся, неисправные, другие, поддельные плохие, поддельных хорошие.
Если магнитится то взамен меди использовано железо, сразу в помойку.
Неисправный он же не рабочий легко определяется транзистор тестером. Сразу в помойку.
Другие это когда транзистор не магнитится, определяется транзистор тестером но имеет абсолютно другие характеристики. Можно использовать куда нибудь для экспериментов.
Поддельные плохие. Выглядит как настоящий. Параметры почти как у настоящего. Имеет слегка завышенное сопротивление в открытом состоянии и как правило заниженное значение емкости. Величина емкости косвенно указывает на размер кристалла транзистора. Больше емкость, больше размер кристалла и будет выдерживать большую нагрузку. Меньше Cg значит кристалл меньше, меньшую величину энергии можно пропустить через полевой транзистор. В схемах работают, но спустя время сгорают.
Поддельные хорошие. Удовлетворяет всем параметрам кроме Cg. Кристалл чуть меньше, чем у настоящего оригинального. Многие продавцы искренне считают такие транзисторы за оригинал. Обычно работают в схемах без проблем, если конечно в схеме не используются предельные нагрузки на такой транзистор.
Оригинальный он же настоящий при проверке в домашних условиях должен соответствовать четырем параметрам.
1) Отсутствие прилипания к магниту ( не магнитится).
2) Соответствовать технической спецификации (datasheet). Сопротивление открытого канала должно быть меньше, чем максимальное значение указанное в datasheet. Измеряется прибором YR1030+, как измеряется подробно показано в приведенном Вами видео. Для скептиков. В этом же видео показано, что измерение методом вольтметр амперметр, дает абсолютно тот же результат, что и просто прибором YR1030+. Но прибором гораздо удобней и точней.
3) Минимальное напряжение открытия Vt на транзистор тестере, оно же "Gate threshold voltage" в datasheet и должно быть в пределах указанных в спецификации. Минимальное напряжение достаточно точно определяет транзистор тестер.
4) Емкость Cg измеренная транзистор тестером должна соответствовать ожидаемой емкости указанной на графике в datasheet Ciss для Vds=0V. Обратите внимание в некоторых случаях производитель рисует график с началом координат Vds=1V, соответственно для Vds=0 значение Ciss оно же Cg на транзистор тестере, должно быть больше.
Для примера начнем с настоящих оригинальных. Например 21n50c3
Характеристики транзисторов из одной партии очень близки.
Как указано в технической спецификации допускается от 2,1 до 3,9V. А 3V является обычным параметром. У нас Vt=3V, что является идеалом для данного транзистора.
Сg по транзистор тестеру чуть больше 6 нанофарад. Смотрим график.
Для Vds=0 Cg он же на графике Ciss где то между 4 и 10 нанофарад. В нашем случае этот параметр идеален.
Измеряем сопротивление.
Сопротивление RDS(on) у одного полевого транзистора 0,1362Ом у второго 0,1409 Ом другими словами у обих где то 0,14Om. По спецификации должно быть менее 0,19Ом, а обычно 0,16Ом. Другими словами этот параметр у тестируемых 21n50c3 идеальный.
Полевые транзисторы полностью соответствуют данным из технической спецификации, что не удивительно. Это заведомо настоящие оригинальные транзисторы демонтированные из списанной отработавшей много лет аппаратуры.
Теперь более интересный пример. IRFZ44N оригинал и подделка (отбракованный как другой).
Измеряем транзистор тестером.
Vt для оригинала 3,6V у подделки 2,4V при требовании от 2V до 4V оба проходят проверку этого параметра.
Cg для оригинала 2,42n у подделки 1,39n при требовании исходя из графика ожидаем от 2,2n до 2,5n. График начинается с Vds=1V, а мы измеряем при Vds=0V. Поэтому ожидаемые значения выше чем максимально указанное на графике. Подделка имеет заниженное значение Cg=Ciis=1.39n. А по графику видно, что явно должно быть более 2000пф(2n)
Измеряем сопротивление.
Rds(on) для оригинала 16,18 mOm для подделки 33,8mOm. При максимальном значении 17,5mOm подделка со своими 33,8 сразу бракуется.
Что еще удобно проверять прибором YR1030+.
Хорошо видно, что у новой кроны сопротивление 1,292 Om, а у работавшей в устройстве уже 47,5Om. Это две хороших щелочных alkaline кроны.
И если у Вас новая крона будет иметь сопротивление например в 100 Om, то это повод усомнится в пригодности такой кроны.
Всем успехов.
Посмотрел приведенное Вами выше видео от радиогубителя.
Пару слов какой порядок действий у меня.
Сначала дам определение какие транзисторы считаю подделкой, какие оригиналом.
Подделка состоит из магнитятся, неисправные, другие, поддельные плохие, поддельных хорошие.
Если магнитится то взамен меди использовано железо, сразу в помойку.
Неисправный он же не рабочий легко определяется транзистор тестером. Сразу в помойку.
Другие это когда транзистор не магнитится, определяется транзистор тестером но имеет абсолютно другие характеристики. Можно использовать куда нибудь для экспериментов.
Поддельные плохие. Выглядит как настоящий. Параметры почти как у настоящего. Имеет слегка завышенное сопротивление в открытом состоянии и как правило заниженное значение емкости. Величина емкости косвенно указывает на размер кристалла транзистора. Больше емкость, больше размер кристалла и будет выдерживать большую нагрузку. Меньше Cg значит кристалл меньше, меньшую величину энергии можно пропустить через полевой транзистор. В схемах работают, но спустя время сгорают.
Поддельные хорошие. Удовлетворяет всем параметрам кроме Cg. Кристалл чуть меньше, чем у настоящего оригинального. Многие продавцы искренне считают такие транзисторы за оригинал. Обычно работают в схемах без проблем, если конечно в схеме не используются предельные нагрузки на такой транзистор.
Оригинальный он же настоящий при проверке в домашних условиях должен соответствовать четырем параметрам.
1) Отсутствие прилипания к магниту ( не магнитится).
2) Соответствовать технической спецификации (datasheet). Сопротивление открытого канала должно быть меньше, чем максимальное значение указанное в datasheet. Измеряется прибором YR1030+, как измеряется подробно показано в приведенном Вами видео. Для скептиков. В этом же видео показано, что измерение методом вольтметр амперметр, дает абсолютно тот же результат, что и просто прибором YR1030+. Но прибором гораздо удобней и точней.
3) Минимальное напряжение открытия Vt на транзистор тестере, оно же "Gate threshold voltage" в datasheet и должно быть в пределах указанных в спецификации. Минимальное напряжение достаточно точно определяет транзистор тестер.
4) Емкость Cg измеренная транзистор тестером должна соответствовать ожидаемой емкости указанной на графике в datasheet Ciss для Vds=0V. Обратите внимание в некоторых случаях производитель рисует график с началом координат Vds=1V, соответственно для Vds=0 значение Ciss оно же Cg на транзистор тестере, должно быть больше.
Для примера начнем с настоящих оригинальных. Например 21n50c3
Характеристики транзисторов из одной партии очень близки.
Как указано в технической спецификации допускается от 2,1 до 3,9V. А 3V является обычным параметром. У нас Vt=3V, что является идеалом для данного транзистора.
Сg по транзистор тестеру чуть больше 6 нанофарад. Смотрим график.
Для Vds=0 Cg он же на графике Ciss где то между 4 и 10 нанофарад. В нашем случае этот параметр идеален.
Измеряем сопротивление.
Сопротивление RDS(on) у одного полевого транзистора 0,1362Ом у второго 0,1409 Ом другими словами у обих где то 0,14Om. По спецификации должно быть менее 0,19Ом, а обычно 0,16Ом. Другими словами этот параметр у тестируемых 21n50c3 идеальный.
Полевые транзисторы полностью соответствуют данным из технической спецификации, что не удивительно. Это заведомо настоящие оригинальные транзисторы демонтированные из списанной отработавшей много лет аппаратуры.
Теперь более интересный пример. IRFZ44N оригинал и подделка (отбракованный как другой).
Измеряем транзистор тестером.
Vt для оригинала 3,6V у подделки 2,4V при требовании от 2V до 4V оба проходят проверку этого параметра.
Cg для оригинала 2,42n у подделки 1,39n при требовании исходя из графика ожидаем от 2,2n до 2,5n. График начинается с Vds=1V, а мы измеряем при Vds=0V. Поэтому ожидаемые значения выше чем максимально указанное на графике. Подделка имеет заниженное значение Cg=Ciis=1.39n. А по графику видно, что явно должно быть более 2000пф(2n)
Измеряем сопротивление.
Rds(on) для оригинала 16,18 mOm для подделки 33,8mOm. При максимальном значении 17,5mOm подделка со своими 33,8 сразу бракуется.
Что еще удобно проверять прибором YR1030+.
Хорошо видно, что у новой кроны сопротивление 1,292 Om, а у работавшей в устройстве уже 47,5Om. Это две хороших щелочных alkaline кроны.
И если у Вас новая крона будет иметь сопротивление например в 100 Om, то это повод усомнится в пригодности такой кроны.
Всем успехов.
Изменено:
@ТехнарьКто, Большое человеческое Спасибо за подробный обзор данной темы. У меня есть много мосфетов в частности IRF Z44N, пришлют прибор буду проверять, хотя и так знаю, что подделки. Транзисторы IRF4905 выслали, а вот прибор YR1030+ магазин что-то не спешит высылать, хотя уже 3 дня прошло с заказа. Будем эксперементировать, об отчётах обязательно Вам расскажу.
Прислали сегодня 10 мосфетов IRF4905 , надеюсь оригинал . Прибор ещё не прислали. Проверил магнитом не магнитятся. Тестер показал следующие параметры. На выходные проверю с блоком питания. 
@VictorArx,
Судя по показаниям транзистортестера, похож на настоящий. После измерения RDSon будет окончательно понятно.
Судя по показаниям транзистортестера, похож на настоящий. После измерения RDSon будет окончательно понятно.
Это падение напряжения на паразитном диоде.
Из-за особенностей внутренней структуры MOSFET-транзистор имеет в своем составе паразитный обратный диод, включенный параллельно стоку-истоку, который иногда приводят в условном обозначении транзистора. Другими словами из за особенностей изготовлении полевых транзисторов в их структуре появляется паразитный диод сток-исток, который не находит практического применения, а просто мешает нормальному функционированию схем. Падение напряжения на паразитном диоде составляет до 0,8 В, что меньше падения напряжения на обычном кремниевом p-n диоде. Именно по этой причине параллельное включение внешних обратных диодов бессмысленно. Диод медленный, достаточно долго до 1 мкс переходит в непроводящее состояние при смене полярности тока, поэтому приходится затрачивать дополнительную энергию на его закрывание, что ведет к нагреву транзистора в целом. Паразитный диод полевого транзистора не является элементом со специально подбираемыми свойствами.
Достаточно подробно про внутреннюю структуру MOSFET-транзисторов изложено в [Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. Дьяконов В.П.,Максимчк А.А.,Ремиев А.М.,Смердов В.Ю. СОЛОН-Р. 2002. 512 с.].
Изменено:
Ну, по поводу применения я бы поспорил, в синхронных выпрямителях они (паразитные диоды) используются как раз по прямому назначению.
И по поводу параллельного включения обычных диодов - тоже: если структура используемого MOSFET не специализированная (например, FREDFET), то как раз очень помогают повысить быстродействие. Я уже не говорю о Шоттки, где напряжение открывания может вообще составлять 0,1-0,2В.
И по поводу параллельного включения обычных диодов - тоже: если структура используемого MOSFET не специализированная (например, FREDFET), то как раз очень помогают повысить быстродействие. Я уже не говорю о Шоттки, где напряжение открывания может вообще составлять 0,1-0,2В.